快恢复二极管

快恢复二极管的内部结构与普通二极管的内部结构不同。

它在P型和N型硅材料之间增加了基区I，以形成P-I-N硅晶片。

由于基极区非常薄，反向恢复电荷很小，这不仅大大降低了trr值，而且还降低了瞬态正向压降，使得管可以承受高的反向工作电压。

快速恢复二极管的反向恢复时间通常为几百纳秒，正向电压降约为0.6V，正向电流为几安培至几千安培，反向峰值电压可为几百至几千伏。

超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步降低，使其trr低至几十纳秒。

20A以下的快速恢复和超快恢复二极管主要采用TO-220封装。

从内部结构来看，它可以分为两种类型：单管和相对管（也称为双管）。

管内有两个快速恢复二极管。

根据两个二极管之间的差异，存在共阴极对和共阳极管。

快速恢复二极管的主要特点是二极管从导通到关断所需的时间非常短。

这个时间称为反向恢复时间。

具有小的反向恢复时间的管可以显着降低切换期间的功耗。

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它还经常用于产生快速上升的脉冲信号。

由于二极管转换为低电平，或从低电平转换为高电平，此期间的转换时间很长，这将严重影响电路的速度，最终电路的特性非常糟糕！快速恢复二极管位于肖特基二极管和公共二极管之间。

它具有肖特基二极管的低导通电压（无肖特基极低），快速和高耐压。

特殊基极电压很低），快速恢复主要用于高频场合的整流，如开关电源的二次整流，用于电源整流，快速恢复二极管没有问题，但由于二极管材料的快速恢复和该工艺的原因是其PN结比普通整流管薄，并且瞬态中的大电流能力弱于普通的，特别是在滤波电容太大，选择不当的情况下。

管的最大电流会瞬间烧坏。

恢复PN结。

使用万用表可以检测快速恢复，超快恢复二极管的单向电导率，以及内部是否存在开路或短路故障，并可以检测正向压降。

如果配备兆欧表，也可以测量反向击穿电压。

示例：使用主要参数测量超快恢复二极管：trr = 35ns，IF = 5A，IFSM = 50A，VRM = 700V。

将万用表转为R×1，将正向电阻读为6.4Ω，n'= 19.5;反向阻力是无限的。

此外，获得VF = 0.03V / div×19.5 = 0.585V。

证明管道是好的。

注意：1）有些单管，共有三个针脚，中间是空的，通常在工厂切断，但也没有切割。

2）如果其中一个管损坏，它可以用作单个管。

3）测量正向压降时，必须使用R×1文件。

如果使用R×1k文件，测得的VF值将显着降低，因为测试电流太小，远低于管的正常工作电流。

在上面的例子中，如果选择R×1k测量，则正向电阻等于2.2kΩ，其中n'= 9个单元。

如此计算的VF值仅为0.27V，远低于正常值（0.6V）。